姜艳

作品数：1被引量：8H指数：1
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供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
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VDMOS的导通电阻模型被引量：8
《电子器件》2008年第2期537-541,共5页姜艳 陈龙 沈克强 
导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通...
关键词：导通电阻 VDMOS 模型 MEDICI 
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