陈龙

作品数：3被引量：25H指数：2
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供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
发文主题：VDMOSVDMOS场效应晶体管特征导通电阻MEDICI导通电阻更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》更多>>
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VDMOS的导通电阻模型被引量：8
《电子器件》2008年第2期537-541,共5页姜艳 陈龙 沈克强 
导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通...
关键词：导通电阻 VDMOS 模型 MEDICI 
VDMOS等效电路的SPICE模型
《电子器件》2007年第2期495-498,502,共5页刘冠男 陈龙 沈克强 
分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用S...
关键词：VDMOS 等效电路 SPICE 电路仿真 
VDMOS场效应晶体管的研究与进展被引量：18
《电子器件》2006年第1期290-295,共6页陈龙 沈克强 
介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理,分析了其技术特点与优势,重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破,通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件的整体性能,而Superjunc...
关键词：VDMOS 特征导通电阻 沟槽结构 Supexjumction 
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