我国首次实现室温连续发光的氮化镓半导体蓝光激光器  

出　　处：《激光与光电子学进展》2007年第6期7-7,共1页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaS）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

关 键 词：氮化镓半导体 室温连续激射 蓝光激光器 中国科学院半导体研究所 半导体激光器 发光 中国大陆 产品化 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]