室温连续激射

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半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展
《新材料产业》2009年第1期80-81,共2页
中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1．31μm波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采mGaAs基上生长的InGaAs异变（metamorphic）量子阱为有源区实现了1.33μm的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报...
关键词：INGAAS 长波长激光器 半导体 量子阱激光器 室温连续激射 阈值电流 中科院 有源区 
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破
《现代材料动态》2007年第7期22-22,共1页
由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓...
关键词：半导体激光器 氮化镓半导体 蓝光激光器 中国科学院半导体研究所 室温连续激射 中国大陆 产品化 产业化 
氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功
《光机电信息》2007年第6期58-58,共1页
由中科院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器已取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,
关键词：氮化镓半导体 蓝光激光器 室温连续激射 半导体激光器 中国大陆 研究所 中科院 
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破
《中国照明》2007年第6期18-18,共1页
近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后又一个重大突破，标...
关键词：半导体激光器 蓝光激光器 氮化镓 中国科学院半导体研究所 室温连续激射 中国大陆 产品化 GAN 
我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破
《传感器世界》2007年第5期46-46,共1页
4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功，这是该研究小组继2004年11月16日首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标...
关键词：氮化镓半导体 半导体激光器 蓝光激光器 中国科学院半导体研究所 室温连续激射 中国大陆 产品化 产业化 
我国首次实现室温连续发光的氮化镓半导体蓝光激光器
《激光与光电子学进展》2007年第6期7-7,共1页
2007年4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突...
关键词：氮化镓半导体 室温连续激射 蓝光激光器 中国科学院半导体研究所 半导体激光器 发光 中国大陆 产品化 
室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期486-488,共3页赵欢 杜云 倪海桥 张石勇 韩勤 徐应强 牛智川 吴荣汉 
国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划和国家重点基础研究发展规划资助项目
研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导...
关键词：分子束外延 快速热退火 量子阱 
我国量子点激光器研制成功
《激光集锦》2003年第4期39-39,共1页
关键词：量子点激光器 双模生长模式 室温连续激射 砷化镓 
半导体异质结及其在光电子学中的应用——2000年诺贝尔物理奖评述
《物理》2001年第4期200-202,229,共4页陈良惠 
瑞典皇家科学院 2 0 0 0年 10月 10日宣布 ,将 2 0 0 0年度诺贝尔物理奖授予三位科学家 ,他们是俄罗斯科学院圣彼得堡约飞技术物理研究所的Zh .I.Alferov、美国加利福尼亚大学的HerbertKroemer和美国德克萨斯仪器公司的JackS .Kilby,以...
关键词：异质结 光电子学 半导体 诺贝尔物理奖 半导体激光器 室温连续激射 量子阱激光器 
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