室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器  

Room Temperature Continuous Wave Operation 1.59μm GaInNAsSb Quantum Well Lasers

作　　者：赵欢[1] 杜云[1] 倪海桥[1] 张石勇[1] 韩勤[1] 徐应强[1] 牛智川[1] 吴荣汉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期486-488,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划和国家重点基础研究发展规划资助项目

摘　　要：研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.

关 键 词：分子束外延 快速热退火 量子阱 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]