半导体所GaAs基长波长激光器研究取得重要进展  

机构地区：[1]中科院半导体研究所

出　　处：《新材料产业》2009年第1期80-81,共2页Advanced Materials Industry

摘　　要：中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的1．31μm波段GaAs基InGaAs异变量子阱激光器获得新进展，这种激光器采mGaAs基上生长的InGaAs异变（metamorphic）量子阱为有源区实现了1.33μm的室温连续激射，其阈值电流为目前已有报道的最好结果而受到国际关注。

关 键 词：INGAAS 长波长激光器 半导体 量子阱激光器 室温连续激射 阈值电流 中科院 有源区 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学] TN304.23