氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功  

出　　处：《光机电信息》2007年第6期58-58,共1页OME Information

摘　　要：由中科院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器已取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破,

关 键 词：氮化镓半导体 蓝光激光器 室温连续激射 半导体激光器 中国大陆 研究所 中科院 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]