我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破  

Great Breakthrough in the Research of Gallium Nitride Blue Light Semiconductor Laser in China

出　　处：《中国照明》2007年第6期18-18,共1页China Illuminrtion

摘　　要：近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

关 键 词：半导体激光器 蓝光激光器 氮化镓 中国科学院半导体研究所 室温连续激射 中国大陆 产品化 GAN 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]