非极性氮化镓发光二极管功率再创新高  

作　　者：慢光(编译) 

出　　处：《激光与光电子学进展》2007年第6期13-14,共2页Laser & Optoelectronics Progress

摘　　要：加州大学圣巴巴拉分校的研究小组研制的InGaN多量子阱结构LED在20mA电流驱动下。输出功率达到28mw，峰值波长402nm，相当于45．4％的外量子效率。可贵的是，即使在更大电流情况下转换效率依然能够维持，驱动电流200mA时，输出功率高达250mW。

关 键 词：氮化镓发光二极管 输出功率 非极性 创新 多量子阱结构 INGAN 外量子效率 电流驱动 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]