GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法  

Nondestructive Method Determining Structure Thickness of GaAs/AlGaAs Multi-quantum Well Material

作　　者：陈贵宾[1] 

机构地区：[1]淮阴师范学院江苏省低维材料化学重点建设实验室

出　　处：《淮阴师范学院学报（自然科学版）》2007年第2期118-121,共4页Journal of Huaiyin Teachers College;Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10234040);江苏省高校自然科学基金资助项目(05KJD140038)

摘　　要：通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用.A convenient and nondestructive method for determining the structural thickness of GaAs based multi- quantum well material with conventional transmission spectrum measurement is presented. The obtained parameters are very valuable for the device fabrication and the material growth.

关 键 词：GAAS/ALGAAS 多量子阱材料 透射光谱 结构厚度 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]