用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能  

Properties of W Sub-Microtube Heater Electrode Used for Phase Change Memory

作　　者：冯高明[1,2] 刘波[1] 吴良才[1] 宋志棠[1] 封松林[1] 陈宝明 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室 [2]中国科学院研究生院,北京100049 [3]美国硅存储技术公司

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第7期1134-1138,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z360);中国科学院(批准号:Y2005027);上海市科委(批准号:05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)资助项目~~

摘　　要：为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.In order to reduce the reset current of C-RAM devices,a W sub-micron tube heating electrode with external diameter of 260nm was fabricated in standard 0.18μm CMOS,and its electrical performance was characterized. A typical C-RAM device was manufactured using a W sub-micron tube heating electrode,and the causes of invalidation were analyzed through fatigue behaviour testing. The results indicate that a W sub-micron tube heating electrode with favourable electrical stability and fatigue behaviour,as well as thermal stability,provides an efficient path for reducing the reset current of a C-RAM device.

关 键 词：相变存储器 W亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]