冯高明

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：相变存储器刻蚀相变相变材料化学机械抛光更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
《功能材料与器件学报》2008年第3期609-613,共5页徐成 刘波 冯高明 吴良才 宋志棠 封松林 Bomy Chen 
国家973计划(2006CB302700);国家高技术研究发展计划(2006AA03Z360);中国科学院(Y2005027);上海科学技术委员会(05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)资助
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能。结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阈值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器...
关键词：Sn掺杂 Ge2Sb2Te5 相变存储器 器件单元 存储性能 
用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1134-1138,共5页冯高明 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z360);中国科学院(批准号:Y2005027);上海市科委(批准号:05JC14076;0552nm043;AM0517;06QA14060;06XD14025;0652nm003;06DZ22017)资助项目~~
为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有...
关键词：相变存储器 W亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性 
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