VDMOS管器件模拟研究  

Study on Device Modeling of VDMOS Transistors

作　　者：程松[1] 李润新[1] 刘伯学[1] 

机构地区：[1]北京防化研究院,北京102205

出　　处：《微电子学》2007年第3期326-329,共4页Microelectronics

基　　金：国防科技预研基金资助项目

摘　　要：在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数。文章在介绍工艺与器件模拟方法的基础上,针对不同的工艺参数、结构和材料特性,开展器件模拟,分析与研究器件的电学特性。通过模拟研究,确认影响电学性能的主要因素,为研制VDMOS样管提供理论指导。Based on the methodology for process and device simulation, technology simulation and device modelng are carried out for different process parameters, device structures and material properties, and electrical characteristics of different devices are analyzed. Conclusions from this study may serve as a guide for development of VDMOS transistors.

关 键 词：VDMOS管 工艺模拟 器件模拟 转移特性 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]