程松

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：防化研究院更多>>
发文主题：半导体探测器MOS航空放射性测量剂量探测器蒙特卡罗更多>>
发文领域：核科学技术电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《微电子学》《原子核物理评论》《核技术》《核电子学与探测技术》更多>>
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航空放射性测量的模拟计算
《核电子学与探测技术》2011年第9期1058-1061,共4页张法磊 邵晖 李润新 程松 胡俊丽 
航测系统刻度主要有实验刻度法、模拟实验刻度法、Beck法和蒙特卡洛法。将模拟实验刻度法与蒙特卡洛方法结合,通过MCNP4c程序对系统进行模拟,计算不同高度下对点源的计数,并与木板模拟实验结果对比,得到航测系统在不同高度下计数率的变...
关键词：蒙特卡罗 转化因子 木板 
组织等效空腔电离室设计与饱和特性研究
《核技术》2007年第10期860-863,共4页程松 刘伯学 唐开勇 刘虹宇 王艳春 
MOS场效应管与空腔电离室两种技术结合,形成一种用于个人核辐射剂量监测的新型探测器-直接电荷存贮(Direct Ion Storage,简称DIS)探测器。本文在介绍该探测器原理基础上,从壁材料、气体成分、腔体形状和尺寸、壁厚度以及绝缘材料等角度...
关键词：直接电荷存贮探测器 组织等效空腔电离室 MOS场效应管 饱和特性曲线 
VDMOS管器件模拟研究被引量：3
《微电子学》2007年第3期326-329,共4页程松 李润新 刘伯学 
国防科技预研基金资助项目
在衡量半导体器件是否符合设计要求时,技术指标首先指器件直流电学性能,包括输出特性曲线和转移特性曲线,以及相应的电学参数。文章在介绍工艺与器件模拟方法的基础上,针对不同的工艺参数、结构和材料特性,开展器件模拟,分析与研究器件...
关键词：VDMOS管 工艺模拟 器件模拟 转移特性 
MOS结构剂量探测器研究进展被引量：2
《原子核物理评论》2002年第3期361-364,共4页程松 刘伯学 毛用泽 
介绍了MOS结构剂量探测器的基本测量原理 ,回顾了国内外利用MOS结构作为剂量探测器的发展过程和研究现状 。
关键词：MOS结构剂量探测器 MOS场效应晶体管 电离辐射 吸收剂量 金属氧化物半导体 测量原理 
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