陶瓷—玻璃—单晶硅的阳极键合工艺性研究  

Research on Anodic Bonding Technology of ZrO_2 Ceramic-Glass-Si

作　　者：阴旭[1] 刘翠荣[1] 

机构地区：[1]太原科技大学,山西太原030024

出　　处：《机械工程与自动化》2007年第4期74-76,共3页Mechanical Engineering & Automation

基　　金：山西省自然科学基金资助项目(20031051)

摘　　要：首先采用射频磁控溅射法在ZrO2陶瓷基体上沉积一层钠硼硅酸盐玻璃,并通过该钠硼硅酸盐玻璃薄膜作为中间层利用阳极键合方法实现了ZrO2陶瓷与单晶硅的间接连接。zThis article continues to discuss a new method to use RF magnetron sputtering processing craft to deposit Na2O-B2O3- SiO2 glass thin film on the ceramic substrate. Na2O-B2O3-SiO2 glass thin film is suitable for anodic bonding as the intermediate layer. It is an essential precondition for realizing indirect connection of ZrO2 and Si.

关 键 词：阳极键合 射频磁控溅射 钠硼硅酸盐玻璃薄膜 

分 类 号：TB332[一般工业技术—材料科学与工程]