用脉冲等离子体CVD生成低Cl浓度的TiN薄膜  

作　　者：民民 

出　　处：《等离子体应用技术快报》1997年第5期8-9,共2页

关 键 词：脉冲等离子体 CVD 氯浓度 氮化钛 薄膜 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TB43[理学—物理]