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作 者:郑伟 范希武[1,2] 郑著宏[1,2] 王惟彪[1,2] 张吉英 杨宝均[1,2] 申德振[1,2]
机构地区:[1]中国科学院长春物理研究所 [2]中国科学院激发态物理开放研究实验室
出 处:《发光学报》1997年第2期105-109,共5页Chinese Journal of Luminescence
基 金:国家自然科学基金;中国科学院激发态物理开放研究实验室资助
摘 要:本文报导了ZnCdTe-ZnTe多量子阱的受激发射机理.阈值时(Jth)受激发射峰相对于激子吸收峰的能量差(19meV)与激子束缚能接近.激发光强度在3Jth~4.8Jth之间变化时,该能量差随激发光强度的变化规律与激子—激子散射过程的理论结果符合得很好。The processes involved in the stimulated emission by photopumping in ZnCdTe ZnTe multiple quantum wells have been investigated at 77 K. The energy differences (Δ Ε ) between stimulated emission peak and exciton absorption peak at threshold( J th ) is about 19 meV. It is close to the exciton binding energy. The energy difference Δ Ε as a function of excitation intensities( J ), in this experiments, can be express as Δ Ε ∝ J 1/2.2 ,when excitation intensities are in 3 J th ~4.8 J th . Considering the theoretical result Δ Ε ∝ J 1/2 , it is possible to think that the stimulated emission originated from exciton exciton scattering processes when excitation intensities are in the above regions.
分 类 号:TN201[电子电信—物理电子学]
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