3-D寄生电容的HOC-ADI提取方法  

An ADI Method in the 3-D Parasitic Capacitance Extraction with the High-Order Compact Finite Difference Method

作　　者：刘战[1] 须自明[1] 王国章[1] 于宗光[1] 

机构地区：[1]江南大学信息工程学院,江苏无锡214036

出　　处：《电子器件》2007年第4期1208-1210,共3页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：电子元件器件可靠性物理及其应用技术国防技术重点实验室基金资助(51433020105DZ6801)

摘　　要：采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算3-D寄生电容.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.The application of ADI and high-order compact finite difference method to 3-D parasitic capacitance computation. Numerical results present that this method can decrease the number of iterative by 40% and reduce the computation time greatly.

关 键 词：ADI 高阶紧致差分 寄生电容 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]