氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响  

EFFECT OF TEMPERATURE AND DEPTH ON THE PREFERABLE GROWTH DIRECTION OF AlN FILMS ON Si(Ⅲ)SUBSTRATES

作　　者：胡丽君[1] 庄惠照[1] 薛成山[1] 薛守斌[1] 张士英[1] 李保理[1] 

机构地区：[1]山东师范大学物理与电子科学学院,济南250014

出　　处：《山东师范大学学报（自然科学版）》2007年第3期52-54,共3页Journal of Shandong Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90301002;90201025)

摘　　要：采用磁控溅射技术在Si(Ⅲ)衬底上沉积了Al膜,在高温炉中使之与氨气反应制备AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌.结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向,同时不同厚度的Al薄膜也会在氨气作用后生成不同择优生长取向的AlN薄膜.AIN films have been successfully prepared on Si（ Ⅲ ）substrates Via ammoniating the A1 films by r.f. magnetron sputtering . XRD, XPS and SEM were emplyed to characterized AIN thin films with structure, components and morphology. Analysis clearly shows the different time of sputtering and annealing process bring the A1N thin films different perfered growth orentation.

关 键 词：磁控溅射 择优取向 AIN 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]