CMOS带隙基准电压源的设计  

作　　者：闫新强[1] 张玉明[1] 林智[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071

出　　处：《电子元器件应用》2007年第8期54-56,59,共4页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。

关 键 词：CMOS模拟电路 带隙基准电压源 电压稳定性 温度特性 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]