闫新强

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文主题：化学气相淀积CMOS模拟电路CMOS带隙基准电压源温度特性温度场模拟更多>>
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CMOS带隙基准电压源的设计被引量：1
《电子元器件应用》2007年第8期54-56,59,共4页闫新强 张玉明 林智 
给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。
关键词：CMOS模拟电路 带隙基准电压源 电压稳定性 温度特性 
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