反应压力对MOCVD法沉积ZnO薄膜性质的影响  

Effect of Reaction Pressure on the Chracteristics ZnO Thin Film as TCO Grown by MOCVD Technique

作　　者：陈新亮[1] 薛俊明[1] 张德坤[1] 孙健[1] 任慧志[1] 赵颖[1] 耿新华[1] 

机构地区：[1]南开大学光电薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《光电子．激光》2007年第7期763-766,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家重点基础研究发展规划"973"资助项目(2006CB202602;2006CB202603);天津市自然科学基金资助项目(043604911);天津市科技攻关资助项目(043186511)

摘　　要：研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性。200Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2Ω.cm。实验中沉积的ZnO薄膜在600～2600nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降。Micmstructural,optical and electrical properties of up-doped ZnO films grown by metal organic chemical vapor deposition（MOCVD） at different reaction pressures were investigated. XRD spectra and SEM images indicated that （002） weakened with the decrease of reaction pressure and （110） peak of ZnO film strengthened at a certain pressure,especially at 200 Pa. Low reaction pressure contributed to enhance the electrical properties of ZnO films. At 200 Pa,ZnO film presented pyramide-like textured morphology with the low resistivity of 1.28 10^-2 Ω·cm. The average transmittance of these films was above 80% in the wavelength range from 600 to 2 600 nm,while decreased in short wavelength region due to the light scattering.

关 键 词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) ZNO薄膜 透明导电氧化物(TCO) 太阳电池 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]