IGBT门极驱动电路的研究  

IGBT Gate Drive Circuit

作　　者：魏克新[1] 周秋茜[1] 王丽娟[1] 

机构地区：[1]天津理工学院

出　　处：《电气传动》1997年第1期53-57,共5页Electric Drive

摘　　要：IGBT模块的开关性能取决于门极驱动电路的特性和外部直流回路的电感。本文讨论了这些参数对开关损耗、二极管恢复、瞬态开关电压、短路运行及dv/dt的感应电流的影响。这将有助于研究人员正确地使用IGBT。The switching losses,diode recovery,switching voltage transients dv/dt induced current and external dcloop inductance are important parameters for IGBT switching performance. The paper describes the influences of these parameters. The test results are iven in the paper as the reference for IGBT Gate Drive circuit designers.

关 键 词：门极驱动电路 IGBT模块 半导体器件 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]