中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究  

The Calculate of Efficiency Refractive Index for SOI Slab Optical wave Guide and the Design of Thickness for Wave Guide Layer

作　　者：刘键[1] 王佩璇[1] 王耘波[1] 王文华[2] 魏龙[2] 张天保[2] 

机构地区：[1]北京科技大学材料物理系 [2]中科院高能物理所

出　　处：《半导体杂志》1997年第3期15-19,共5页

摘　　要：用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。The optical field of Air/Si/SiO 2 slab optical wave guide is analyzed and its distribution is calculated ,Which are very useful for design of optical wave guide device.

关 键 词：中子辐照 正电子湮没 快速退火 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]