刘键

作品数：5被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文主题：中子辐照砷化镓正电子湮没GAAS多孔硅更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《材料研究学报》《Journal of Semiconductors》《半导体杂志》《核技术》更多>>
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阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究
《核技术》2000年第6期376-380,共5页刘键 魏龙 王辉耀 马创新 王宝义 
中国科学院重点基金!19805010
用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明，随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，空位缺陷增多。长寿命（正电子素）成分较少。扫描电子显微镜显示，在阳极氧化过程中有尺寸为几um...
关键词：正电子湮没 扫描电子显微镜 多孔硅 阳极氧化法 
中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究
《稀有金属》1999年第5期336-339,共4页刘键 王佩璇 张灶利 
采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ ...
关键词：中子辐照 砷化镓 退火 反位缺陷 复合缺陷 
中子辐照GaAs的X射线漫散射研究
《材料研究学报》1999年第1期99-102,共4页刘键 王佩璇 
用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷．结果表明：中子辐照产生点缺陷团．辐照剂量为1019m－2和1021m－2时，缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm．这可能是高剂量辐照下损伤区域交叠的结果．平均半径随退火温度的升高而减小是间...
关键词：中子辐照 X射线漫散射 砷化镓 半导体 
中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第9期672-677,共6页刘键 王佩璇 柯俊 朱沛然 扬峰 殷士端 
用沟道ＲＢＳ方法研究了中子辐照ＧａＡｓ的缺陷在快速退火过程中的恢复行为．结果表明，在１０１４～１０１７／ｃｍ２范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长．中子辐照效应对ψ１／２没有影响．经一定剂量辐照后，退火...
关键词：砷化镓 中子辐照 沟道RBS法 
中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究被引量：2
《半导体杂志》1997年第3期15-19,共5页刘键 王佩璇 王耘波 王文华 魏龙 张天保 
用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。
关键词：中子辐照 正电子湮没 快速退火 砷化镓 
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