张灶利

作品数：12被引量：13H指数：2
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供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
发文主题：非平衡偏聚晶界偏聚回火脆性硅化物薄膜俄歇电子能谱更多>>
发文领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《钢铁研究学报》《兵器材料科学与工程》《材料研究学报》更多>>
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超低碳钢等温过程中杂质的晶界偏聚研究
《金属热处理学报》1999年第2期21-25,共5页张灶利 吴旭飚 刘登科 林清英 余宗森 
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和扫描电镜（ＳＥＭ）研究了超低碳钢在９００℃等温时Ｐ、Ｓ、Ｃ、Ｂ等杂质元素在晶界的偏聚问题。结果发现，等温初期Ｐ、Ｂ在晶界的含量出现峰值，保温一定时间后，晶界Ｓ含量也出现峰值，碳的晶界含量随等...
关键词：杂质的晶界偏聚 超低碳钢 等温处理 俄歇电子能谱 
中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究
《稀有金属》1999年第5期336-339,共4页刘键 王佩璇 张灶利 
采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ ...
关键词：中子辐照 砷化镓 退火 反位缺陷 复合缺陷 
磷在钢回火脆性发展时的非平衡偏聚及钼的影响被引量：7
《钢铁研究学报》1999年第5期26-29,共4页张灶利 刘键 林清英 余宗森 刘登科 
用俄歇能谱仪和扫描电镜研究了中碳钢和含钼中碳钢在回火脆性发展过程中Ｐ在晶界上的偏聚。发现在４８０ ℃回火时，两种钢均在晶界出现Ｐ的浓度峰值。含钼中碳钢中的Ｍｏ 减小了晶界断裂比例，但并不改变Ｐ的浓度峰值。同时还观察了Ｓ...
关键词：中碳钢 回火脆性 磷 非平衡偏聚 钼 
Co薄膜的稳定性和室温相观察
《材料研究学报》1999年第4期423-426,共4页张灶利 郭红霞 肖治纲 余宗森 王桂兰 
中科院北京电子显微镜实验室提供制样和分析条件基金;中关村地区联合测试基金
用电镜对 Ｓｉ （００１） 基体上的 Ｃｏ 薄膜的室温相和稳定性进行了观察， 高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明： 室温下， Ｃｏ 薄膜不发生反应， 室温相为α Ｃｏ， 没有硅化物形成． Ｃｏ 薄膜在经过３００ ℃２ｈ 退火后...
关键词：钴硅化物 薄膜 室温相 部分凝集 稳定性 
连续冷却过程中低碳贝氏体钢的晶界化学被引量：1
《金属热处理学报》1998年第2期11-15,共5页张灶利 林清英 余宗森 
用俄歇电子能谱仪分析了低碳贝氏体钢奥氏体化后炉冷、空冷、油冷和水冷时Ｃ、Ｂ、Ｐ、Ｓ等元素在晶界的偏聚行为。结果发现：在不同冷却速度下，各元素在晶界的偏聚量不同。慢冷速下，Ｂ、Ｐ晶界浓度较高，快冷速下Ｓ晶界浓度较高。Ｃ...
关键词：低碳贝氏体钢 晶界偏聚 俄歇电子能谱 连续冷却 
回火脆性的杂质。空位复合体非平衡偏聚机制被引量：2
《金属热处理学报》1996年第3期11-15,共5页张灶利 林清英 许庭栋 余宗森 纪箴 
提出了钢回火脆性的杂质－空位复合体机制。研究了４０Ｃｒ钢５３８℃长时间回火脆化动力学，发现５０％ＦＡＴＴ（脆韧转变温度）随回火时间变化的规律与所提出的机制吻合较好。用扫描电镜观察冲击断口形貌，表明沿晶断口的比例呈规律...
关键词：回火脆性 非平衡偏聚 杂质-空位复合体 
热镀铝中硅的影响及其作用机制
《兵器材料科学与工程》1996年第4期52-55,共4页张灶利 余宗森 张崇芳 
采用扫描电镜、电子探针及Ｘ射线研究了７２０～７３０℃热浸，纯Ａｌ、Ａｌ＋１．７％Ｓｉ，Ａｌ＋３．６％Ｓｉ三种钢板镀层，结果表明：加Ｓｉ镀层结构改变，并对界面合金层生长有强烈的抑制作用，Ｓｉ量增加抑制作用明显。分析表明...
关键词：热镀铝 硅 金属保护 镀层 热浸法 
Al－Cu合金G．P．区异常快速形成的复合体机制
《北京科技大学学报》1996年第6期573-576,共4页张灶利 张崇芳 陈宁 余宗森 
用置换溶质原子－空位复合体机制，对Ａｌ－Ｃｕ合金Ｇ．Ｐ．区异常快速形成及相应的现象进行了解释，并与过剩空位机制和位错机制进行了比较。
关键词：复合体机制 铝铜合金 过剩空位机制 位错机制 
Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期265-268,共4页张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在...
关键词：Co/Si Co/SiO2 界面反应 硅化物薄膜 
Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
《金属学报》1995年第4期B179-B182,共4页张灶利 肖治纲 杜国维 
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
关键词：薄膜 钴硅化合物 集成电路 电子显微镜 
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