硅化物薄膜

作品数：13被引量：8H指数：2
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相关作者：廖明墩叶继春曾俞衡吴东平张世理更多>>
相关机构：上海交通大学中国科学院宁波材料技术与工程研究所复旦大学华灿光电(浙江)有限公司更多>>
相关期刊：《北京航空航天大学学报》《光电子技术》《物理化学学报》《南开大学学报（自然科学版）》更多>>
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锰的硅化物薄膜在Si(100)-2×1表面生长的STM研究
《物理学报》2012年第6期391-396,共6页李玮聪 邹志强 王丹 石高明 
国家自然科学基金(批准号:61176017);上海市教育委员会科研创新项目(批准号:12ZZ025)资助的课题~~
锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景,了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一.本文采用分子束外延方法在Si(100)-2×1表面沉积了约4个原子层的锰薄膜,并利用超高真空扫描隧...
关键词：扫描隧道显微镜 锰的硅化物 固相反应 Ostwald熟化 
锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7表面的固相反应生长被引量：2
《物理化学学报》2010年第5期1291-1295,共5页王丹 邹志强 孙静静 赵明海 
上海市科委基础研究重点项目(07JC14026)资助~~
利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由有序...
关键词：扫描隧道显微镜 Si(111)-7×7重构表面 固相反应 锰的硅化物 退火 
硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究
《北京航空航天大学学报》2005年第1期1-4,共4页王金良 
过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注 ,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性 .因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业 .对硅衬底上蒸发的Cr、F...
关键词：固相反应 硅化物 薄膜生长 X射线衍射 软X射线发射光谱 
用于FEA场发射微尖表面的硅化物薄膜被引量：1
《光电子技术》2000年第2期111-115,共5页季旭东 
一些硅的化合物具有良好的场发射特性，如果用作FEA发射微尖表面的薄膜，将能较好地提高FEA的发射特性。本文对这一类硅化物的制作、测量与性能作了说明。
关键词：硅化物 FEA薄膜 场致发射 
难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究
《天津理工学院学报》1998年第4期71-73,共3页徐伟 胡延年 
本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Mo、难熔金属硅化物TiSi2、PtSi2等进行了探讨．采用溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决VLSI工艺的某些问题，如：解决由于MOS电路图形尺寸缩小带来的概电阻增大...
关键词：磁控溅射 难熔金属 硅化物 薄膜 制备 VLSI 
难熔金属及硅化物薄膜制备技术研究
《辽宁大学学报（自然科学版）》1998年第1期52-55,共4页胡延年 徐伟 张绍成 
本文对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究．主要对难熔金属Ｍｏ、难熔金属硅化物ＴｉＳｉ２、ＰｔＳｉ２等进行了探讨，采取了溅射难熔金属、热硅化反应的手段，对解决ＶＬＳＩ工艺的某些问题，如：（１）解决由于ＭＯＳ电路图...
关键词：磁控溅射 难熔金属 硅化物 薄膜 
难熔金属及硅化物薄膜特性研究
《半导体情报》1998年第1期48-50,共3页胡延年 
对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究。采用溅射难熔金属、热硅化反应的方法，解决了ＶＬＳＩ工艺中由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题；采用硅化物阻挡层和Ａ１多层金属布线方法，解决了欧姆接触和铝的电迁移...
关键词：磁控溅射 难熔金属 硅化物 VLSI 制造工艺 
Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期265-268,共4页张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在...
关键词：Co/Si Co/SiO2 界面反应 硅化物薄膜 
Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第3期195-200,共6页张灶利 肖治纲 杜国维 
本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相...
关键词：硅化物薄膜 相变 电子显微术 Co-Si界面 低温 
硅化物薄膜的质子弹性散射分析被引量：1
《物理学报》1992年第12期2049-2054,共6页朱沛然 江伟林 徐天冰 殷士端 
本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeV He的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeV H束分析更为有利,这是...
关键词：硅化物 薄膜 弹性散射 质子 
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