肖治纲

作品数：8被引量：7H指数：2
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供职机构：北京科技大学更多>>
发文主题：铌镁酸铅钛酸铅硅化物薄膜玻璃-陶瓷粉料更多>>
发文领域：电子电信化学工程金属学及工艺理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《金属学报》《材料研究学报》更多>>
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Co薄膜的稳定性和室温相观察
《材料研究学报》1999年第4期423-426,共4页张灶利 郭红霞 肖治纲 余宗森 王桂兰 
中科院北京电子显微镜实验室提供制样和分析条件基金;中关村地区联合测试基金
用电镜对 Ｓｉ （００１） 基体上的 Ｃｏ 薄膜的室温相和稳定性进行了观察， 高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明： 室温下， Ｃｏ 薄膜不发生反应， 室温相为α Ｃｏ， 没有硅化物形成． Ｃｏ 薄膜在经过３００ ℃２ｈ 退火后...
关键词：钴硅化物 薄膜 室温相 部分凝集 稳定性 
Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期265-268,共4页张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在...
关键词：Co/Si Co/SiO2 界面反应 硅化物薄膜 
共沉淀法合成铌镁酸铅──钛酸铅介电陶瓷粉末被引量：3
《北京科技大学学报》1995年第5期472-475,共4页陈伟 杜国维 马肇曾 肖治纲 裘宝琴 
通过共沉淀法合成铌镁酸铅－钛酸铅介电陶瓷粉末，经８００℃焙烧后，Ｘ射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相；经１０００℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的９６．７７％，２０℃介电常数可达２０９４０。
关键词：共沉淀 介电常数 铌镁酸铅 钛酸铅 陶瓷 
Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
《金属学报》1995年第4期B179-B182,共4页张灶利 肖治纲 杜国维 
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
关键词：薄膜 钴硅化合物 集成电路 电子显微镜 
Co－Si界面低温（≤450℃）相变的电子显微术研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第3期195-200,共6页张灶利 肖治纲 杜国维 
本文用透射电镜的衍射方法，研究Ｃｏ薄膜和衬底之间的界面的低温相变．用小角解理方法制备的室温原始样品经分析发现：室温下薄膜没有相变．在２５０℃，Ｃｏ２Ｓｉ为最先形成的硅化物；２５０℃３０分钟处理后，产生大量的ＣｏＳｉ相...
关键词：硅化物薄膜 相变 电子显微术 Co-Si界面 低温 
Si衬底上Co薄膜氧化观察
《金属学报》1994年第6期B270-B272,共3页张灶利 肖治纲 杜国维 
用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化，对Ｃｏ／Ｓｉ界面硅化物转变有影响．
关键词：薄膜 Co-Si化合物 氧化 
稀土铁铬铝合金的高温氧化TEM研究被引量：1
《北京科技大学学报》1993年第4期408-413,共6页杜国维 袁之良 肖治纲 
通过透射电镜对Fe-25％Cr-6％Al-RE(富镧)合金氧化行为进行研究.结果表明:经1200℃恒温2h纯氧中氧化,合金中镧以六方La_2O_3微小颗粒沉淀在氧化膜中α—Al_2O_3晶粒的顶端及晶界上。它们阻碍铝向表面扩散,抑制氧化膜的侧向生长;在1200℃...
关键词：高温氧化 氧化镧 铁铬铝合金 TEM 
热处理CZ-Si中新施主与氧沉淀产物的对应关系
《物理学报》1989年第11期1727-1732,共6页李家全 肖治纲 柯俊 
本文利用霍耳测量、红外测量及透射电子显微镜等手段,对热处理CZ-Si中的新施主及氧沉淀进行了研究。常规电子显微镜(TEM)结果表明,经650—750℃热处理的CZ-Si中主要形成点状及杆状缺陷。新施主的形成与点状缺陷关系密切。根据高分辨电...
关键词：CZ-SI 热处理 新施主 氧沉淀 
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