Co薄膜的稳定性和室温相观察  

OBSERVATION OF THE STABILITY AND ROOM TEMPERATURE( R T) PHASES OF Co THIN FILM ON Si (001) SUBSTRATE

作　　者：张灶利[1] 郭红霞 肖治纲[1] 余宗森[1] 王桂兰 

机构地区：[1]北京科技大学 [2]湖南郴州工业学校

出　　处：《材料研究学报》1999年第4期423-426,共4页Chinese Journal of Materials Research

基　　金：中科院北京电子显微镜实验室提供制样和分析条件基金;中关村地区联合测试基金

摘　　要：用电镜对 Ｓｉ （００１） 基体上的 Ｃｏ 薄膜的室温相和稳定性进行了观察， 高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明： 室温下， Ｃｏ 薄膜不发生反应， 室温相为α Ｃｏ， 没有硅化物形成． Ｃｏ 薄膜在经过３００ ℃２ｈ 退火后， 薄膜发生部分凝聚现象， 凝聚团由硅化物组成． ３００ ℃退火后薄膜由 Ｃｏ２ Ｓｉ 和 Ｃｏ ＳｉThe stability and R Tphases of Co thin film on Si (001) substrate have been investigated by T E M. The results of H R E M and S A D (selected area diffraction) of small angle cleavage definitely showedthat atroom te mperature only α Co phase existed in Co thin film ,and no reaction betw een Co thin film and Si(001) substrate occurred . After annealing for 2 hours at 300 ℃partial agglom eration on thin film was ob served , which consisted of Co2 Si and Co Si.

关 键 词：钴硅化物 薄膜 室温相 部分凝集 稳定性 

分 类 号：O484[理学—固体物理]