Co薄膜的稳定性和室温相观察  

OBSERVATION OF THE STABILITY AND ROOM TEMPERATURE( R T) PHASES OF Co THIN FILM ON Si (001) SUBSTRATE

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作  者:张灶利[1] 郭红霞 肖治纲[1] 余宗森[1] 王桂兰 

机构地区:[1]北京科技大学 [2]湖南郴州工业学校

出  处:《材料研究学报》1999年第4期423-426,共4页Chinese Journal of Materials Research

基  金:中科院北京电子显微镜实验室提供制样和分析条件基金;中关村地区联合测试基金

摘  要:用电镜对 Si (001) 基体上的 Co 薄膜的室温相和稳定性进行了观察, 高分辨像和小角解理的电子衍射结果均表明: 室温下, Co 薄膜不发生反应, 室温相为α Co, 没有硅化物形成. Co 薄膜在经过300 ℃2h 退火后, 薄膜发生部分凝聚现象, 凝聚团由硅化物组成. 300 ℃退火后薄膜由 Co2 Si 和 Co SiThe stability and R Tphases of Co thin film on Si (001) substrate have been investigated by T E M. The results of H R E M and S A D (selected area diffraction) of small angle cleavage definitely showedthat atroom te mperature only α Co phase existed in Co thin film ,and no reaction betw een Co thin film and Si(001) substrate occurred . After annealing for 2 hours at 300 ℃partial agglom eration on thin film was ob served , which consisted of Co2 Si and Co Si.

关 键 词:钴硅化物 薄膜 室温相 部分凝集 稳定性 

分 类 号:O484[理学—固体物理]

 

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