杜国维

作品数：18被引量：25H指数：3
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供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
发文主题：铁铬铝合金相变电热合金解理断裂铌镁酸铅更多>>
发文领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《钢铁研究》《激光与红外》《Journal of Semiconductors》《金属学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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软件开发过程的开发图描述
《北京科技大学学报》1999年第1期83-86,共4页蔡家楣 杜国维 
国家"863"高科技项目
提出一种开发图工具用来将程序开发过程形式化，描述开发中涉及的各种与不同方式相关的单元集，从而解决对开发过程的分析修改和管理问题．并用UMLX下的LEX作为例子说明了这种工具的使用．
关键词：形式化 开发图 LEX 软件开发 
基于ECC的程序规范描述
《北京科技大学学报》1998年第6期585-589,共5页蔡家楣 杜国维 
"863"计划和浙江省自然科学基金资助的课题
介绍一种扩展的类型理论构造演算ＥＣＣ；讨论了用它表示松散语义抽象类型的程序规范的方法。然后介绍如何用函数型语言ＭＬ使这种方法得以实现。
关键词：扩展构造演算 程序规范 函数型语言 程序形式化 
铁铬铝合金脆断被引量：6
《北京科技大学学报》1998年第4期354-358,共5页杜国维 蔡家敏 林实 
国家自然科学基金资助课题
研究了 Fe-25Cr-5Al 电热合金断裂原因及断裂方式.高于1000℃合金晶粒急剧长大,当晶粒大小()增长至80 μm时,断裂由韧窝型向准解理过渡,≥100 μm则呈现解理断裂;变温过程,由于铬组元非平衡偏聚,微米级大小α′相沿晶界形成;σ相形成导...
关键词：晶粒度 解理断裂 α'相 铁铬铝合金 电热合金 
Fe_3Al基合金的热加工工艺合金比及力学性能研究
《钢铁研究》1997年第3期24-26,30,共4页张德志 杜国维 肖纪美 
研究了Ｆｅ３Ａｌ基合金的热加工工艺、合金化以及室温和中温抗拉性能并获得了具有较好室温和中温力学性能的合金。
关键词：抗拉性能 热加工 合金化 铁铝基合金 
湿化学法合成铌镁酸铅陶瓷微观结构被引量：1
《北京科技大学学报》1997年第4期378-381,共4页张文林 杜国维 肖治纲 马肇曾 林实 
用湿化学法合成钥镁酸铅陶瓷．用X射线（XRD、扫描电镜（SEW和透射电镜（TEM）技术，研究陶瓷的微观结构．结果表明：湿化学法可合成纯钙钛矿相的钥镁酸铅陶瓷；陶瓷在850～920℃烧结，晶粒大小为150～200nm，细小焦绿石相出现并分布在...
关键词：铌镁酸铅陶瓷 微观结构 合成 湿化学法 铁电材料 
Co／Si和Co／SiO_2界面反应的观察被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期265-268,共4页张灶利 翟启华 纪箴 肖治纲 杜国维 
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应．结果表明：在氩气氛下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化，在Ｃｏ／Ｓｉ界面同时有硅化物形成，而在...
关键词：Co/Si Co/SiO2 界面反应 硅化物薄膜 
共沉淀法合成铌镁酸铅──钛酸铅介电陶瓷粉末被引量：3
《北京科技大学学报》1995年第5期472-475,共4页陈伟 杜国维 马肇曾 肖治纲 裘宝琴 
通过共沉淀法合成铌镁酸铅－钛酸铅介电陶瓷粉末，经８００℃焙烧后，Ｘ射线衍射研究表明几乎为单一钙钛矿相；经１０００℃烧结的陶瓷片其密度达到理论值的９６．７７％，２０℃介电常数可达２０９４０。
关键词：共沉淀 介电常数 铌镁酸铅 钛酸铅 陶瓷 
热循环过程铁铬铝合金中α＇相沉淀被引量：2
《北京科技大学学报》1995年第4期387-390,共4页杜国维 曹慧泉 蔡家敏 马如璋 
通过１２００℃缓冷至室温热循环过程，由于铬组元非平衡偏聚，加快铬在Ｆｅ２５Ｃｒ５Ａｌ合金中向晶界扩散，并产生富铬的α＇相沿晶及晶内沉淀；相变导致合金脆化，在晶界可观察到微米级α＇相，并产生穿晶解理断裂失效破坏。
关键词：解理断裂 相沉淀 铁铬铝合金 循环热处理 
Fe－28Al合金中相转变被引量：7
《金属学报》1995年第4期A151-A155,共5页杜国维 王政 肖纪美 
应用电镜及Ｘ射线衍射技术研究了含Ｃｒ及不含Ｃｒ的Ｆｅ－２８ａｔ．－％Ａｌ合金中相变结果表明，１０８０℃淬火过程中，Ｂ２结构热畴已开始形成；缓冷通过Ｂ２相区，沿晶界出现α相；对Ｆｅ－２８Ａｌ－５Ｃｒ合金还出现细小的Ｃｒ...
关键词：FE3AL 反相畴 金属间化合物 相变 
Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察
《金属学报》1995年第4期B179-B182,共4页张灶利 肖治纲 杜国维 
Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．
关键词：薄膜 钴硅化合物 集成电路 电子显微镜 
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