Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察  

OBSERVATION OF CoSi PHASE TRANSFORMATION IN Co FILM

作　　者：张灶利[1] 肖治纲[1] 杜国维[1] 

机构地区：[1]北京科技大学,北京科技大学材料物理系

出　　处：《金属学报》1995年第4期B179-B182,共4页Acta Metallurgica Sinica

摘　　要：Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．TEM observation was carried out on the phase transformation of CoSi along Co/ Si interface of the film grown on the Si substrate annealed at 250, 450 or 500℃respectively. CoSi is found to be the polycrystalline grains and no epitaxial relationship occurred between Si substrate and CoSi. The sequence of phase transformation for Co/Si interface in the annealing temperature range may be:250-450℃ 450-500℃Co2Si+ CoSi─→ CoSi─→CoSi+CoSi2(

关 键 词：薄膜 钴硅化合物 集成电路 电子显微镜 

分 类 号：TQ138.12[化学工程—无机化工] TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]