硅化物薄膜的质子弹性散射分析  

MeV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING ANALYSIS OF SiN_x/Si AND SiO_x/Si FILMS

作　　者：朱沛然[1] 江伟林[1] 徐天冰 殷士端[2] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《物理学报》1992年第12期2049-2054,共6页Acta Physica Sinica

摘　　要：本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeV He的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeV H束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。A simple method for the analysis of concentration ratios N/Si and O/Si in SiNx/Si and SiOx/Si is presented. 1.95 MeV H beam elastic backscattering was used to determine the composition and thickness. A comparison with 2.1 MeV He beam Rutherford backscsttering (RBS) is given. It provides a complementary analysis technique. A brief discussion on results is given.

关 键 词：硅化物 薄膜 弹性散射 质子 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]