长波长InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管最佳工作特性  

Optimum Operation Characteristics of Long Wavelength InGaAs/lnP SAGM Avalanche Photodiode

作　　者：李平[1] 

机构地区：[1]西安交通大学工程物理系

出　　处：《光通信研究》1990年第2期47-52,共6页Study on Optical Communications

摘　　要：本文结合研制的InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管,讨论了SAGM-APD的技术界线和最佳工作特性。This paper, based on the fabricated devices, discusses technical limitations and optimum operation characteristics for the InGaAs/InP SAGM avalanche photodiode.

关 键 词：雪崩 光电二极管 INGAAS/INP SAGM 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学]