量子阱中光生载流子的瞬态衰减过程与发光效率  

TRANSIENT DECAY OF PHOTOEXCITED CARRIERS AND PHOTOLUMINESCENCE EFFICIENCY IN QUANTUM WELLS

作　　者：金世荣[1] 李爱珍[1] 褚君浩[2] 陈诗伟[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

出　　处：《物理学报》1997年第5期1001-1010,共10页Acta Physica Sinica

摘　　要：提出了量子阱系统中包括非辐射复合效应和载流子屏蔽效应在内的光生载流子瞬态复合过程的唯象模型．结果表明，荧光衰退时间与样品质量。We present a phenomenological model for the recombination of photoexcited carriers in quantum wells,which takes into account of the nonradiative recombination and the screening effect of free carriers in the wells.The results show,that the decay time of photoluminescence is strongly related to the sample quality,doping level,as well as the excitation intensity.

关 键 词：半导体 量子阱 光生载流子 瞬态复合 发光效率 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]