混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究  

The Transient Spectroscopic Study on Tenary GaAs 1-x P x ∶N Alloys

作　　者：俞容文[1,2] 黄旭光[1,2] 郑健生[1,2] 颜炳章 

机构地区：[1]厦门大学物理学系 [2]中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室

出　　处：《厦门大学学报（自然科学版）》1997年第2期216-220,共5页Journal of Xiamen University：Natural Science

基　　金：国家和福建省自然科学基金;中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室资助

摘　　要：采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．The pico second ultrafast spectroscopic technology is used to study the tenary GaAs 1-x P x∶ N alloys. The results confirm the band structure enhancement effect in GaAs 1-x P x∶ N alloys. The PL decay measurements of N X band show that the fast intraband tunneling and slow luminescent decay coexist in GaAs 1-x P x∶ N alloys.

关 键 词：Ⅲ-Ⅴ族 半导体 杂质 发光瞬态过程 混晶半导体 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理] TN304.23[理学—物理]