含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究  

Electrical Properties of Nitrogen Doping Fluorinated Amorphous Carbon Thin Films

作　　者：周昕[1] 

机构地区：[1]湖南工业大学师专校区物理与电子工程系,湖南株洲412007

出　　处：《株洲师范高等专科学校学报》2007年第5期8-10,共3页Journal of Zhuzhou Teachers College

摘　　要：用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升．Nitrogen doping fluorinated amorphous carbon （a-C ： F） thin films are deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition （RF-PECVD）. The films＇ dielectric constant is investigated by electric-bridge to study the deposited technical influence on the films. Nitrogen doping, high RF-power, high deposited temperature and thermal annealing can lead to high dielectric constant.

关 键 词：氟化非晶碳薄膜 氮掺杂 介电常数 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]