氟化非晶碳薄膜

作品数:23被引量:80H指数:7
导出分析报告
相关领域:理学电子电信更多>>
相关作者:宁兆元程珊华叶超辛煜刘雄飞更多>>
相关机构:苏州大学中南大学重庆大学大连交通大学更多>>
相关期刊:《绝缘材料》《中国学术期刊文摘》《微细加工技术》《功能材料》更多>>
相关基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省高校省级重点实验室开放课题江苏省高校省级重点实验室开放课题资助项目更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
面向大空间建筑的氟化非晶碳薄膜性能调控方法研究
《真空》2023年第6期42-46,共5页吴小虎 呼书杰 孙恩泽 张鑫 赵琦 
中国博士后科学基金资助项目(2023M730823)。
大空间建筑既是城市景观的重要组成元素,又是展现城市特色、彰显时代风貌、传承城市历史的重要载体。氟化非晶碳薄膜有望作为外立面修饰材料,提升大空间建筑的自清洁、防雾和抗冰能力。本文介绍了氟化非晶碳薄膜的射频/直流共溅射方法,...
关键词:氟化非晶碳薄膜 城乡建设 疏水 微观形貌 
氟化非晶碳膜的微结构分析被引量:1
《真空科学与技术学报》2009年第1期38-41,共4页蒋爱华 肖剑荣 
广西教育厅科研项目(No.200807MS044);桂林工学院博士启动项目(No.002401003252)
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温...
关键词:氟化非晶碳薄膜 PECVD 微结构 沉积温度 
ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究被引量:3
《真空科学与技术学报》2009年第1期61-67,共7页谷建东 李东明 冯志庆 牛金海 刘东平 
国家自然科学基金资助项目(No.10405005)
本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研...
关键词:氟化非晶碳薄膜 沉积机理 原子力显微镜 发射光谱 
含氮氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜电学性能的研究
《株洲师范高等专科学校学报》2007年第5期8-10,共3页周昕 
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数.研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.
关键词:氟化非晶碳薄膜 氮掺杂 介电常数 
氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究被引量:2
《材料科学与工程学报》2006年第4期531-534,共4页刘雄飞 周昕 
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜。用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱仪对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中氮气含量的增加,光学带隙先减小后升高,折射率变化情况...
关键词:氮掺杂 氟化非晶碳薄膜 光学带隙 
氟化非晶碳薄膜(a-C:F)的制备与表征
《半导体技术》2006年第2期90-93,共4页苏祥林 吴振宇 蒋昱 汪家友 杨银堂 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室资助项目(51433020205DZ0101)
以C4F8和CH4为源气体,采用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积(ECR-CVD)方法,在不同气体混合比条件下沉积了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜低k层间介质。实验中薄膜的沉积速率可达220nm/min, 测得的介电常数为2.14-2.58。X光电子能谱表明,随...
关键词:电子回旋共振 非晶氟化碳 X光电子能谱 低介电常数 
材料科学
《中国学术期刊文摘》2005年第24期22-63,共42页
材料科学基础学科平均屈服准则求解单位体积塑性功的推导和应用;钢,铁以及铜合金的贝氏体成核机制;变间隙填丝脉冲GTAW动态过程神经网络建模与仿真;稀土激活发光材料的研究进展;低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展。
关键词:材料科学基础学科 填丝脉冲GTAW 氟化非晶碳薄膜 低介电常数材料 过程神经网络 建模与仿真 屈服准则 成核机制 发光材料 稀土激活 
低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究被引量:1
《微细加工技术》2005年第2期51-54,62,共5页刘雄飞 张云芳 肖剑荣 李幼真 
以CF4和CH4的混合气体为源气体,以Ar为工作气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法(rf-PECVD)制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,并在Ar气氛中对不同温度下沉积的薄膜进行了退火处理,以考察其热稳定性.用椭偏仪测量了薄膜的厚度,比较了退火...
关键词:RF-PECVD a-C:F薄膜 热稳定性 
低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展被引量:1
《材料导报》2005年第6期20-22,35,共4页闫继红 宁兆元 
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)...
关键词:氟化非晶碳薄膜 研究进展 低介电常数材料 微电子器件 特征尺寸 材料结构 器件性能 二氧化硅 研究课题 应用价值 介质层 连线 金属 电阻 
射频功率对氟化非晶碳薄膜微观性能的影响
《绝缘材料》2004年第4期38-40,共3页刘雄飞 高金定 肖剑荣 张云芳 周昕 
以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧。FITR光谱分...
关键词:射频功率 氟化非晶碳薄膜 微观性能 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部