低介电常数材料

作品数：24被引量：104H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张卫丁士进杜丽萍袁京姜标更多>>
相关机构：复旦大学联华电子股份有限公司长鑫存储技术有限公司上海集成电路研发中心更多>>
相关期刊：《中国学术期刊文摘》《微电子学》《玻璃纤维》《印制电路信息》更多>>
相关基金：国家重点实验室开放基金国家杰出青年科学基金国家自然科学基金陕西理工学院科研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
无卤耐高温低介电常数材料及应用研究进展被引量：1
《电线电缆》2024年第3期11-17,共7页吴仲孝 洪宁宁 高磊 
上海市青年科技启明星计划(21QB1401200)。
文中综述了无机非金属类、有机高分子类和复合材料类无卤耐高温低介电常数功能类材料的介电常数、耐温、含卤等情况;介绍了相关工艺的改进方法,并对国内常规信号传输用电缆料及产品研发进展进行了简要分析;列举了国内现行常规信号传输...
关键词：功能材料 研究进展 工艺改进 产品研发 电缆标准 
低介电高分子材料的发展现状被引量：2
《塑料》2022年第4期146-149,155,共5页贾其凡 毛家容 刘帅 陈宝书 赵天宝 
综述了国内外低介电高分子材料的研究进展,其中,包括氟化聚酰亚胺、氟化环氧树脂、液晶聚合物LCP、复合高分子低介电材料等,对比并分析了低介电高分子材料与传统低介电材料的性能差异,展示了行业对新型低介电材料的性能需求,总结了其在...
关键词：低介电常数材料 氟化聚酰亚胺 氟化环氧树脂 液晶聚合物 复合材料 高分子材料 
低介电常数材料研究及进展被引量：2
《化工生产与技术》2020年第2期21-25,32,I0002,I0003,共8页王海 程文海 周涛涛 卢振成 王凌振 蒋梁疏 
叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传统SiO2介电材料是解决上述问题的有效方法。分析了低κ材料的性能要求,论述了改性SiO2基介电材料、氟化...
关键词：低介电常数材料 集成电路 金属介电层 
基于纳米多孔性聚合物低介电常数材料的研究进展被引量：2
《化工新型材料》2014年第11期27-29,共3页陆艳博 任文坛 张勇 
综述了纳米多孔性聚合物基低介电常数材料研究工作的基本情况。着重介绍了以聚酰亚胺、聚硅氧烷和环氧树脂为基体的纳米多孔低介电常数材料的研究进展,并对研究前景做了展望。
关键词：低介电常数 聚合物 纳米孔 
上海有机所在低介电常数材料研究领域取得新进展
《化工新型材料》2013年第9期197-197,共1页化信 
随着极大规模集成电路的发展，芯片中的互连线密度不断增加，互连线的宽度和间距不断减小，因此由互连电阻（R）和电容（C）所产生的寄生效应越来越明显，进而使信号发生严重延迟。为解决这一问题，最有效的方法是使用低介电常数互联材...
关键词：低介电常数材料 大规模集成电路 上海 互连线 寄生效应 信号发生 造孔技术 固体薄膜 
纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响被引量：4
《功能材料》2011年第B11期852-854,共3页胡轶 刘玉岭 刘效岩 王立冉 何彦刚 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光...
关键词：低介电常数材料 纳米二氧化硅抛光液 介电常数 漏电流 
TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理被引量：4
《半导体技术》2009年第5期498-501,共4页李明 段淑卿 郭强 简维廷 
研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数(k=2.7)介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备条件下低介电常数介质的疏松特性可在TEM成像时得到增强显示,进而揭示了某Cu/低k制程ILDTDDB可靠性失效...
关键词：透射电子显微镜 样品制备 低介电常数材料 介质层TDDB可靠性测试 
平滑树脂基板上的金属化工艺
《印制电路信息》2008年第6期38-42,共5页蔡积庆（编译） 
概述了平滑树脂基板上的金属化工艺,可以在具有优良性能的液晶聚合物和环烯聚合物上应用紫外光表面改质处理形成良好导电性的导体层,可以制造适应高速传递或者高频用途的平滑电路。
关键词：紫外光表面改质处理 液晶聚合物 环烯聚合物 低介电常数材料 高速传送 高频 
采用真空来制作芯片
《电子产品世界》2007年第11期131-133,共3页Tom R.Halfhill 马志强 
IBM新“Air-Gap”技术采用真空作为低介电常数材料 真空管从计算机中巳消失了数十年，但如今真空却做出令人吃惊的反击。IBM推出一新半导体制造技术，该技术通过“空气隙”（Air—Gap，实际是微小的真空洞）来替换集成电路中铜线附近...
关键词：真空管 半导体制造技术 低介电常数材料 芯片 制作 绝缘材料 集成电路 介质常数 
基于45nm技术的ULSI互连结构的温度模拟
《微电子学》2007年第4期474-477,481,共5页王锡明 周嘉 阮刚 LEE H-D 
中韩合作项目"Modeling and simulation of the rmal generation and dissipation in chip using Tera-level Nano CMO Stechnology with multi-level metallization"(TND100-130-131)资助
应用自行建立的准二维简化模型,计算了三种基于45 nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明,简化模型误差为7.7%。三种互连结构中,结构III设计具有最佳的散热能力,不仅工作时绝对温升小,而且随衬...
关键词：超大规模集成电路 铜互连 温度分析 低介电常数材料 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部