何彦刚

作品数：22被引量：56H指数：4
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：抛光液阻挡层化学机械抛光抛光表面水溶液聚合更多>>
发文领域：电子电信化学工程理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》《精细化工》《表面技术》《高分子材料科学与工程》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金国家中长期科技发展规划重大专项河北省普通高等学校博士科研资助基金项目河北省教育厅科研基金更多>>
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阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响被引量：1
《半导体技术》2018年第11期852-857,共6页胡轶 张凯 何彦刚 刘玉岭 
新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2017D01A53)
针对化学机械抛光（CMP）过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液。分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜（SEM）观...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜残留 缺陷 碟形坑 蚀坑 
FA/O阻挡层抛光液在铜布线平坦化中的应用
《半导体技术》2018年第10期766-770,776,共6页胡轶 何彦刚 刘玉岭 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);自治区高校科研计划青年教师科研启动金项目(XJEDU2016S064)
研发了一种FA/O阻挡层抛光液,主要成分包含硅溶胶、螯合剂和FA/O非离子型表面活性剂。使用该阻挡层抛光液进行了铜、阻挡层（Ta）和介质层（TEOS-SiO2）的去除速率选择性实验,实验表明,FA/O阻挡层抛光液对Cu的去除速率较低,对Ta和SiO2...
关键词：化学机械抛光(CMP) FA/O阻挡层抛光液 介质层电学性能 碟形坑 蚀坑 
磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响被引量：3
《微纳电子技术》2015年第11期733-736,共4页武鹏 周建伟 何彦刚 刘玉岭 秦然 张燕 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2012202094);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2013010)
阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实验结果,分析了不同磨料粒径抛光液的抛光速率以及...
关键词：粒径 多层Cu布线 化学机械抛光(CMP) 抛光速率 表面状态 
FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响被引量：2
《半导体技术》2015年第6期436-440,472,共6页胡轶 何彦刚 岳红维 刘玉岭 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(F2012202094);新疆师范大学博士科研启动基金资助项目(XJNUBS1226);华东理工大学煤气化及能源化工教育部重点实验室开放基金资助
研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O...
关键词：化学机械平坦化 精抛 FA/O精抛液 Cu/Ta 去除速率 
改性壳聚糖及其膜材料的制备与表征被引量：3
《高分子材料科学与工程》2014年第12期128-133,共6页李思诺 周宏勇 何彦刚 刘兵 刘建伟 王家喜 
以壳聚糖(CS)、亚磷酸和多聚甲醛为原料,制备N-亚甲基磷酸化壳聚糖(NPCS)。利用红外光谱和核磁共振波谱表征其结构。CS和NPCS膜对Ca2+的络合性能表明,磷酸化改性的NPCS膜对Ca2+的络合能力大大提高,钙离子的行为与p H有关,络合量随p H值...
关键词：壳聚糖 N-亚甲基磷酸化壳聚糖 络合 X射线衍射 原子力显微镜 
铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定被引量：3
《表面技术》2014年第3期74-79,共6页李炎 孙鸣 李洪波 刘玉岭 王傲尘 何彦刚 闫辰奇 张金 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金(E2013202247;F2012202094);河北省教育厅基金(2011128)~~
目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min...
关键词：碱性研磨液 铜CMP TSV技术 FA/O型螯合剂 表面粗糙度 
碱性阻挡层抛光液在65nm铜布线平坦化中应用被引量：5
《半导体技术》2013年第10期750-754,共5页陈蕊 刘玉岭 王辰伟 蔡婷 高娇娇 何彦刚 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(F2012202094)
阻挡层的平坦化直接决定了多层铜布线化学机械平坦化结果的好坏和器件的成品率,而阻挡层抛光液作为阻挡层平坦化的重要组成部分,其作用至关重要,研发了一种高性能的碱性阻挡层抛光液。采用在300 mm多层铜布线上进行阻挡层平坦化实验,用...
关键词：巨大规模集成电路（GSI） 多层铜布线 阻挡层抛光液 碱性 酸性 
ULSI/GLSI低Na CMP浆料的纯化效率被引量：1
《微纳电子技术》2011年第10期669-673,共5页甘小伟 刘玉岭 何彦刚 李伟娟 王娟 宋洵奕 
国家中长期发展规划重大专项项目(2009ZX02308)
采用离子交换法去除ULSI/GLSI CMP浆料SiO2水溶胶中的Na+。介绍了微电子专用CMP SiO2水溶胶纯化的研究现状。实验分析了SiO2水溶胶中Na+与阳离子树脂的交换机理,硅溶胶中Na+去除分为硅溶胶溶液中Na+的去除和被硅溶胶胶团吸附Na+的去除...
关键词：化学机械平坦化技术(CMP) 浆料 纯化 离子交换 NA^+ 
磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理的研究被引量：2
《半导体技术》2011年第9期664-667,共4页李伟娟 周建伟 刘玉岭 何彦刚 刘效岩 甘小伟 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素。因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要。随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要...
关键词：黏度 去除速率 磨料 化学机械抛光 表面状态 
碱性Cu化学机械抛光液性能研究被引量：2
《半导体技术》2011年第8期582-585,共4页何彦刚 王家喜 甘小伟 李伟娟 刘玉岭 
国家中长期发展规划重大科技专项02专项项目"极大规模集成电路平坦化工艺与材料"(2009ZX02308)
在分析碱性Cu化学机械抛光液作用机理的基础上,考察了抛光液对铜晶圆电化学、表面形态、化学机械抛光去除速率等性能。结果发现:选用新研制的络合剂R(NH2)n,将Cu的氧化物、氢氧化物转化为可溶性络合Cu,实现了碱性抛光液中Cu的去除。同...
关键词：抛光液 铜 化学机械抛光 去除速率 表面形态 
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