陈蕊

作品数：7被引量：21H指数：4
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供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文主题：CMP抛光液铜布线化学机械抛光阻挡层更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家中长期科技发展规划重大专项河北省自然科学基金国家科技重大专项更多>>
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弱碱性多羟多胺抛光液稳定性被引量：2
《微纳电子技术》2013年第12期785-788,共4页蔡婷 刘玉岭 王辰伟 陈蕊 高娇娇 
国家中长期发展规划重大科技专项资助项目(2009ZX02308)
稳定性是评估抛光液性能的重要指标之一,其关系到抛光液的寿命及能否产业化。从多羟多胺络合剂的反应原理出发,先对强碱性和弱碱性络合剂组成的抛光液进行对比。考量铜去除速率和抛光液的pH值,由这两方面随抛光液放置时间的变化规律对...
关键词：稳定性 反应原理 络合剂 弱碱 抛光液 
Al合金在碱性条件下CMP研究被引量：4
《半导体技术》2013年第12期929-933,共5页杨昊鹍 刘玉岭 孙鸣 陈蕊 刘佳 田园 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
Al化学机械抛光是实现28 nm高k金属栅器件集成电路的关键制程,采用田口方法设计正交实验,主要研究了碱性抛光液对Al合金抛光特性的作用。围绕抛光液组分进行实验。结果表明,有机胺碱体积分数为1.5%,螯合剂体积分数为0.5%,硅溶胶磨料体...
关键词：AL合金 抛光液 化学机械抛光 粗糙度 活性剂 
磷酸作为pH调节剂在阻挡层抛光过程中的应用
《微纳电子技术》2013年第11期726-730,共5页高娇娇 刘玉岭 王辰伟 曹阳 陈蕊 蔡婷 
国家中长期发展规划重大科技专项资助项目(2009ZX02308)
通过大量实验,研究了一种Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液,实现对碟形坑的有效修正以及表面粗糙度的有效降低。采用磷酸作为pH调节剂,改变pH值考察Ta和Cu选择性的变化规律,进而选取Ta高去除速率下的高选择性阻挡层抛光液。通过XP-...
关键词：磷酸 PH调节剂 高去除速率 高选择性 碟形坑 
TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺被引量：5
《微纳电子技术》2013年第11期735-738,742,共5页蔡婷 刘玉岭 王辰伟 牛新环 陈蕊 高娇娇 
国家中长期发展规划重大科技专项资助项目(2009ZX02308)
穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中...
关键词：穿透硅通孔(TSV) 化学机械平坦化(CMP) 单因素 高去除速率 抛光液 
碱性阻挡层抛光液在65nm铜布线平坦化中应用被引量：5
《半导体技术》2013年第10期750-754,共5页陈蕊 刘玉岭 王辰伟 蔡婷 高娇娇 何彦刚 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(F2012202094)
阻挡层的平坦化直接决定了多层铜布线化学机械平坦化结果的好坏和器件的成品率,而阻挡层抛光液作为阻挡层平坦化的重要组成部分,其作用至关重要,研发了一种高性能的碱性阻挡层抛光液。采用在300 mm多层铜布线上进行阻挡层平坦化实验,用...
关键词：巨大规模集成电路（GSI） 多层铜布线 阻挡层抛光液 碱性 酸性 
高稀释倍数碱性铜精抛液在Cu CMP中的应用被引量：4
《半导体技术》2013年第8期614-617,628,共5页曹阳 刘玉岭 王辰伟 高娇娇 陈蕊 蔡婷 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂(BTA)碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光。研究了高稀释倍数(50倍)的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响,并对65 nm技术节点的300 mm单层铜布线片进行了平坦化研究。结果表...
关键词：铜布线 精抛液 高稀释倍数 碟形坑 化学机械抛光(CMP) 
65nm多层铜布线的碱性化学机械平坦化工艺被引量：2
《微纳电子技术》2013年第7期458-461,共4页张宏远 刘玉岭 王辰伟 李海龙 陈蕊 曹阳 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
主要研究了65 nm碱性铜布线的平坦化工艺。对不同尺寸铜线条进行抛光,讨论了抛光压力、抛光液流量和转速对平坦化的影响。结果表明,压力是影响平坦化的主要因素;分别改变压力、流量或转速时,窄线条的平坦化效果优于宽线条;平坦化效果随...
关键词：化学机械抛光(CMP) 压力 转速 流量 台阶高度 平坦化 
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