铜布线

作品数：60被引量：121H指数：7
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抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响
《微纳电子技术》2023年第2期298-304,共7页刘光耀 王辰伟 周建伟 魏艺璇 张新颖 刘志 刘玉岭 
国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(E2019202367)。
为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜布线 阻挡层 抛光工艺 碱性抛光液 表面质量 
IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展被引量：3
《电镀与涂饰》2022年第3期203-210,共8页王静 高宝红 刘世桐 吴彤熙 檀柏梅 
国家自然科学基金(61704046);国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007)。
首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述。
关键词：铜 化学机械抛光 苯并三唑 吸附等温线 配合物 缓蚀剂 清洗 综述 
铜布线用低温共烧陶瓷流延生瓷带研制
《混合微电子技术》2019年第4期69-73,共5页王岩 
铜布线低温共烧陶瓷多层电路板制备难点是铜导体的氧化。利用热失重、差热和傅立叶红外光谱分析手段指导流延生瓷带粘结剂的选择,并对流延膜厚度、生坯片的干燥以及生瓷基片排胶制度进行了研究。结果表明,在氮气氛下聚丙烯酸甲酯(PMMA)...
关键词：LTCC工艺 流延 排肢 铜共烧 
IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展被引量：7
《半导体技术》2019年第11期863-869,共7页王玄石 高宝红 曲里京 檀柏梅 牛新环 刘玉岭 
国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174,F2018202133)
化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发...
关键词：缓蚀剂 化学机械抛光(CMP) 苯并三氮唑(BTA) 结构性损伤 电偶腐蚀 
不同络合剂对铜布线CMP抛光液性能的影响被引量：5
《微纳电子技术》2018年第3期201-205,223,共6页刘国瑞 刘玉岭 栾晓东 王辰伟 牛新环 
国家中长期科技发展规划科技重大专项(2016ZX02301003);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北省教育厅科研基金资助项目(QN2014208);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100)
分别选用FA/O螯合剂和甘氨酸作为络合剂配置铜布线CMP抛光液,研究对比了两种抛光液的抛光速率、静态腐蚀溶解速率、平坦化以及稳定性。速率实验表明,抛光液中加入FA/O螯合剂和甘氨酸都可以显著提高铜的抛光速率,基于甘氨酸配置的抛光液...
关键词：FA/O螯合剂 平坦化 稳定性 甘氨酸 缓蚀剂 
多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制被引量：1
《微纳电子技术》2017年第8期553-557,564,共6页唐继英 刘玉岭 王辰伟 洪姣 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除...
关键词：化学机械抛光(CMP)后清洗 苯并三氮唑(BTA)去除 铜腐蚀 螯合剂 表面活性剂 
GLSI铜布线碱性抛光液中磨料的稳定性
《微纳电子技术》2017年第2期120-124,共5页赵亚东 刘玉岭 栾晓东 闫辰奇 王仲杰 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247)
在铜化学机械抛光中硅溶胶作为磨料起到重要的机械作用。但硅溶胶本身存在热力学上的不稳定性和动力学上的稳定性。研究了pH值、甘氨酸质量分数以及硅溶胶质量分数对抛光液中硅溶胶的粒径和Zeta电位的影响。结果表明,硅溶胶稳定性影响...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅溶胶 DLVO理论 ZETA电位 稳定性 
使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究被引量：3
《发光学报》2015年第8期935-940,共6页徐瑞霞 陈子楷 赵铭杰 宁洪龙 邹建华 陶洪 王磊 徐苗 彭俊彪 
广东省引进创新科研团队计划(201101C0105067115);中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题(M201406);国家自然科学基金重点项目(61036007);国家自然科学基金面上项目(51173049);国家自然科学基金青年基金(61401156);中央高校基本科研业务费(2014ZZ0028);广州市科技计划(2013Y2-00114)资助项目
为了实现氧化物薄膜晶体管(TFT)的低电阻布线,采用Cu作为氧化物TFT的源漏电极。通过优化成膜工艺制备了电阻率低至2.0μΩ·cm的Cu膜,分析了Cu膜的晶体结构、粘附性及其与a-IZO薄膜的界面,制备了以a-IZO为有源层和Cu膜的粘附层的TFT器...
关键词：薄膜晶体管 氧化铟锌 铜布线 
各组分体积分数对碱性抛光液存储时间的影响被引量：1
《微纳电子技术》2014年第5期333-336,340,共5页陈国栋 刘玉岭 蒋勐婷 刘伟娟 袁浩博 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
主要研究了碱性抛光液各组分体积分数对其有效存储时间的影响。实验中每隔两个月测试了抛光液的pH值、平均粒径和Cu膜去除速率等参数随存储时间的变化值。研究表明:FA/O螯合剂体积分数是影响抛光液有效存储时间的主要因素,螯合剂体积分...
关键词：碱性抛光液 有效存储时间 稳定性 铜布线 化学机械平坦化(CMP) 
大尺寸触控面板用铜布线薄膜的制备
《电镀与涂饰》2014年第7期296-298,共3页曾海军 
介绍了一种高透光、电阻小,可用于触摸面板大型化的透明导电性薄膜的制造工艺,即在PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜上形成肉眼不可见的铜网。其工艺流程主要包括低温等离子体表面清洗,磁控溅射Ni–Cr过渡层及Cu植晶层,硫酸盐镀铜层,光刻。...
关键词：触控面板 铜布线薄膜 聚对苯二甲酸乙二酯 磁控 溅射 电镀铜 光刻 表面电阻 
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