洪姣

作品数：8被引量：14H指数：3
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多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制被引量：1
《微纳电子技术》2017年第8期553-557,564,共6页唐继英 刘玉岭 王辰伟 洪姣 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除...
关键词：化学机械抛光(CMP)后清洗 苯并三氮唑(BTA)去除 铜腐蚀 螯合剂 表面活性剂 
300mm硅晶圆粗抛速率优化被引量：5
《微纳电子技术》2016年第11期767-772,共6页张文倩 刘玉岭 王辰伟 洪姣 王娟 栾晓东 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省研究生创新资助项目(220056);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)
针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除速率偏低。通过深入分析1∶30的稀释体积比下温度与硅去除速率的关系,对抛光液和工艺进行调整优化,提高了...
关键词：硅晶圆 化学机械抛光(CMP) 粗抛液 温度 使用寿命 
低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究被引量：1
《微纳电子技术》2016年第8期558-562,共5页洪姣 牛新环 刘玉岭 王辰伟 王如 孙鸣 高宝红 岳昕 李祥州 李月 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金资助项目(61504037);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
主要研究了低磨料质量分数阻挡层抛光液的抛光性能,并将其与商用抛光液进行了对比。由实验结果可以看出,当固定抛光液中的磨料质量分数时,铜的去除速率随着磨料粒径的减小而升高。当固定磨料粒径不变时,铜的去除速率随着磨料质量分数的...
关键词：磨料质量分数 阻挡层 去除速率 粗糙度 蝶形坑 
CMP后清洗中活性剂对SiO_2颗粒去除的影响被引量：1
《微纳电子技术》2016年第4期255-258,275,共5页洪姣 牛新环 刘玉岭 王辰伟 孙鸣 高宝红 韩力英 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247);河北省高等学校科学研究项目(Z2014088)
主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO_2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO_2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25%时效果最优。由原子力显微镜(AFM)测试...
关键词：碱性清洗剂 SIO2颗粒 金相显微镜 原子力显微镜(AFM) 扫描电子显微镜(SEM) 
螯合剂在TSV CMP中对铜膜抛光效果的影响
《微纳电子技术》2015年第12期791-794,共4页洪姣 刘玉岭 牛新环 王辰伟 闫辰奇 张金 张燕 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(E2013202247;E2014202147);河北省教育厅资助科研项目(QN2014208)
化学机械抛光(CMP)是硅通孔(TSV)工艺中的关键步骤之一,抛光工艺和抛光液是影响抛光效果的两大决定因素。主要研究了抛光液中螯合剂在TSV CMP中对铜膜去除速率及抛光后铜膜表面粗糙度的影响,由实验结果可知,随着抛光液中螯合剂体积分数...
关键词：螯合剂 硅通孔(TSV)技术 碱性抛光液 去除速率 粗糙度 
不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响被引量：4
《微纳电子技术》2014年第7期465-469,474,共6页苗英新 王胜利 刘玉岭 王辰伟 孙铭斌 洪姣 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(E2014202147)
化学机械抛光（CMP）过程中苯并三氮唑（BTA）与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的Cu—BTA钝化膜，是抛光后清洗过程中主要去除的对象。采用自主研发的FA／OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分，并对清洗过程中有效去除Cu—BTA的螯...
关键词：螯合剂 清洗剂 Cu—BTA聚合物 接触角 静态腐蚀速率 粗糙度 
新型碱性清洗剂对BTA去除的研究被引量：3
《微纳电子技术》2014年第7期470-474,共5页洪姣 刘玉岭 王辰伟 苗英新 段波 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA去除的影响规律。铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光片清洗前后铜表面与去离子水的接触角得出:FA/OⅡ型螯...
关键词：碱性清洗剂 螯合剂 表面活性剂 苯并三氮唑(BTA) 接触角 
碱性条件下对铜—BTA的去除被引量：1
《微纳电子技术》2013年第12期798-802,共5页杨昊鹍 刘玉岭 王辰伟 张宏远 洪姣 孙铭斌 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
为有效去除铜片表面难溶的、具有复杂结构的铜-BTA,主要对铜片清洗过程中起关键作用的清洗液的组分和浓度进行了研究。采用自主研发的FA/O II型螯合剂作为清洗液,反复进行了大量实验。结果表明,当FA/O II型螯合剂体积分数为7.5%,清洗液p...
关键词：铜-BTA 清洗液 螯合剂 接触角 粗糙度 
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