碱性抛光液

作品数：53被引量：121H指数：6
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抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响
《微纳电子技术》2023年第2期298-304,共7页刘光耀 王辰伟 周建伟 魏艺璇 张新颖 刘志 刘玉岭 
国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(E2019202367)。
为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s...
关键词：化学机械抛光(CMP) 铜布线 阻挡层 抛光工艺 碱性抛光液 表面质量 
抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
《电镀与涂饰》2022年第7期486-490,共5页李森 王胜利 李红亮 王辰伟 雷双双 刘启旭 
河北省自然科学基金(E2019202367)。
研究了碱性抛光液的pH、SiO_(2)磨料质量分数、H;O_(2)体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为:SiO_(2)5%,H;O_(2)20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜...
关键词：三维微同轴 铜 光刻胶 化学机械抛光 碱性抛光液 去除速率 
碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究被引量：2
《电镀与涂饰》2021年第2期102-108,共7页阳小帆 张保国 杨朝霞 李烨 李浩然 
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)。
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO_(2)磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO_(2)、0.075%H_(2)O_(2)、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质...
关键词：超低介电常数介质 化学机械抛光 去除速率 碱性抛光液 
碱性抛光液中铜和钽CMP的去除速率控制和电偶腐蚀研究被引量：3
《电镀与涂饰》2020年第23期1659-1666,共8页李灿 潘国峰 胡连军 王辰伟 刘佳 张鑫博 回广泽 
国家科技重大专项(2016zx02301003-004-007);河北省自然科学基金(F2020202067);河北省高等学校科学技术研究重点项目(ZD2016123)。
研究了不同浓度的高碘酸钾(KIO4)和配位剂柠檬酸钾对Cu和Ta的去除速率及腐蚀电位差的影响。由化学机械抛光(CMP)实验结果可知,随着KIO4浓度的提高,Cu的去除速率一直上升,而Ta的去除速率先上升后下降。在pH为10的情况下,当柠檬酸钾为30 m...
关键词：铜 钽 化学机械抛光 去除速率 高碘酸钾 十二烷基硫酸铵 腐蚀电位 电偶腐蚀 
碱性抛光液中抑制剂TT-LYK对Cu/Co电偶腐蚀的影响被引量：2
《半导体技术》2020年第3期206-212,235,共8页黄超 潘国峰 王辰伟 齐嘉城 崔军蕊 
国家科技重大专项资助项目(2019ZX02308,2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金青年资金资助项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)。
研究了在甘氨酸和H2O2体系下加入新型抑制剂2,2′-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇(TT-LYK)对Cu/Co电偶腐蚀的影响。由化学机械抛光(CMP)实验结果可知,随着抑制剂体积分数的不断提高,Cu的去除速率和静态腐蚀速率均大幅减小...
关键词：化学机械抛光(CMP) CU CO 电偶腐蚀 TT-LYK 
基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化被引量：5
《微纳电子技术》2019年第2期157-166,共10页徐奕 刘玉岭 王辰伟 马腾达 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质...
关键词：Cu/Ta/TEOS 去除速率 碱性阻挡层 抛光液 单因素实验 正交试验 
碱性CMP表面活性剂对硅衬底表面状态的影响被引量：1
《微纳电子技术》2018年第6期433-437,共5页洪姣 刘国瑞 牛新环 刘玉岭 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007)
主要研究了硅衬底碱性精抛液中表面活性剂对硅衬底表面粗糙度、表面缺陷以及抛光雾的影响。实验结果表明，随着硅衬底精抛液中表面活性剂体积分数由0％增加到1％，表面粗糙度和表面缺陷数量都呈现出迅速降低的变化趋势，表面活性剂对降...
关键词：碱性抛光液 硅衬底 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 表面缺陷 抛光雾 
螯合剂与氧化剂协同降低CMP中Co/Cu电偶腐蚀被引量：2
《稀有金属》2018年第3期278-284,共7页李祥州 潘国峰 王辰伟 郭学海 何平 李月 
国家科技重大专项子课题(2016ZX02301003-004-007);河北省高等学校自然科学重点项目(ZD2016123);河北省自然科学基金青年基金项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金项目(2015007);天津市电子材料与器件重点实验室资助
钴（Co）作为10 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路（GLSI）的新型阻挡层材料,在阻挡层化学机械抛光（CMP）中易与铜（Cu）发生电偶腐蚀。本文采用电化学、CMP、静态腐蚀实验以及扫描电镜（SEM）表征方法,研究了弱碱性抛光液中...
关键词：钴 螯合剂 电偶腐蚀 碱性抛光液 化学机械抛光 
基于碱性硅溶胶磨料的石英玻璃的化学机械抛光（英文）被引量：2
《微纳电子技术》2018年第2期135-142,共8页李洪波 王辰伟 李红亮 张文倩 刘玉岭 
National Science and Technology Special Projects(2016ZX02301003-007)
研究了pH值对石英玻璃抛光性能的影响,采用动态光散射及Zeta电位对化学机械抛光（CMP）使用的硅溶胶进行分析表征,采用原子力显微镜（AFM）对抛光后石英玻璃表面形貌进行了分析。对pH值作用范围的研究表明,仅用去离子水进行抛光,石英玻...
关键词：石英玻璃 化学机械抛光(CMP) PH值 硅溶胶 碱性抛光液 碳酸胍 
无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制被引量：2
《微纳电子技术》2018年第1期57-62,共6页张文倩 刘玉岭 王辰伟 牛新环 杜义琛 季军 韩丽楠 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省研究生创新资助项目(220056)
利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,...
关键词：阻挡层 化学机械抛光(CMP) 钴 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度 
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