多量子阱空间光调制器二维列阵  

Multiple Quantum Well Spatial Light Modulator Array

作　　者：陈弘达[1,2] 吴荣汉[1,2] 高文智[1,2] 陈志标[1,2] 杜云[1,2] 

机构地区：[1]国家集成光电子学联合实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第5期356-361,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用MBE技术生长GaAs／AlGaAs多量子阱材料，研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵，对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析．8 × 8 GaAs/AlGaAs multiple-quantum-well (MQW) reflectance spatial light modulator (SLM) arrays have been investigated and fabricated. The light reflectivity, photocurrent and other electrical characteristics are measured. The analysis is emphasized on the behavior of asymmetric F-P cavity (ASFP) effect and array uniformity of contrast ratio and electric properties etc.

关 键 词：多量子阱 空间光调制器 外延生长 二维列阵 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]