P^+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si异质结内光发射(HIP)长波长红外探测器结构的改进及其在77K下的特性  

Improvement on Structure of P^+-Ge_xSi_(1-x)/P-Si Heterojunction Internal Photoemission Long-Wavelength Infrared Detectors and its Characteristics at 77K

作　　者：王瑞忠[1] 陈培毅[1] 钱佩信[1] 罗广礼[2] 张镭[2] 郑康立[2] 周均铭[2] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第6期436-440,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文对P+GexSi1-x／P－Si异质结内光发射长波长红外探测器的电极结构进行了改进，并在国内首次报道了这种器件在77K下的电学特性和光学响应特性。The electrode structure of P+-GexSi1-x/P-Si heterojunction internal photoemission long-wavelength infrared detector is improved and the electrical and photo-responsible characteristics of this kind of device at 77K are reported for the first time in China.

关 键 词：红外探测器 长波长 结构 HIP 

分 类 号：TN215.03[电子电信—物理电子学]