铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响  

Effect of Indium and Tin Oxidation on Photoelectric Behavior of ITO Films

作　　者：江锡顺[1] 曹春斌[2] 宋学萍[3] 孙兆奇[3] 

机构地区：[1]滁州学院电子信息工程系,安徽滁州239012 [2]安徽农业大学理学院,安徽合肥230036 [3]安徽大学物理与材料科学学院,安徽合肥230039

出　　处：《液晶与显示》2007年第4期398-401,共4页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：国家自然科学基金(No.59972001);安徽省自然科学基金(No.01044901);安徽省人才专项基金(No.2004Z029);安徽大学人才队伍建设基金;滁州学院科研项目(No.2007ky041)

摘　　要：采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω.cm。Indium-tin-oxide （ITO） films were prepared on glass by direct current （DC） magnetron sputtering. After deposition, the films were annealed in the air for 1 h at different temperatures （100-300 ℃）. The indium and tin oxidation and photoelectric properties of the films were studied and discussed. The results show that mean transmittance increases with Sn^4＋ concentration in the films increasing. Meanwhile minimum electrical resistance of 6.2 × 10^-4 Ω · cm can be obtained after annealing at 200 ℃ for 1 h in the air.

关 键 词：ITO薄膜 磁控溅射 氧化程度 光电特性 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]