半导体中的自旋注入方法研究  

Investigation of spin-polarized electron injection into semiconductor

作　　者：赵俊卿[1] 刘增良[1] 刘乃源[2] 

机构地区：[1]山东建筑大学理学院,山东济南250101 [2]济南大学图书馆,山东济南250022

出　　处：《山东建筑大学学报》2007年第4期350-354,364,共6页Journal of Shandong Jianzhu University

基　　金：国家自然科学基金项目(10574082);山东省自然科学基金项目(Y2006A18);山东建筑大学自然基金重点项目(XZ050102)

摘　　要：自旋电子学的研究是目前凝聚态物理、信息科学及新材料等诸多领域共同关注的热点,相关的自旋电子器件在信息产业中具有非常诱人的应用前景。自旋注入半导体是实现半导体自旋电子器件最基本的条件,也是目前制约器件开发应用的关键问题。本文以磁性材料/半导体结构的电学注入为主,从半导体中自旋极化的产生、自旋极化源性质、自旋注入原理、半导体材料性质等方面,介绍半导体中的自旋注入方法及其研究进展。Spintronics is now widely focused by researchers in fields of condensed physics,information science and materials science,etc,the spin-related electronic devices have excellent application prospect in information industry,while the spin-polarized electron injection into semiconductors is the premises and bottleneck of developing the spin-related electronic devices.In this paper,based on the electrical injection of magnetic material/semiconductor structures,the method and development of spin-polarized electron injection into semiconductor are reviewed from aspects of spin generation in semiconductor,material characteristics of spin source,principle of spin injection and property of semiconductor itself,etc.

关 键 词：自旋注入 半导体 自旋电子学 肖特基势垒 居里温度 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]