自旋注入

作品数:45被引量:108H指数:6
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相关期刊:《电子设计应用》《中国科学:物理学、力学、天文学》《太赫兹科学与电子信息学报》《中国科学:化学》更多>>
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GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫及调控
《中国科学:物理学、力学、天文学》2023年第10期146-157,共12页张仕雄 唐宁 孙真昊 陈帅宇 沈波 
国家重点研发计划(编号:2022YFB3605600,2018YFE0125700);国家自然科学基金(编号:62225402,61927806)资助项目。
GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测...
关键词:GAN基半导体 自旋轨道耦合 自旋弛豫 
手性分子自旋极化与电子器件应用
《稀有金属》2023年第8期1163-1177,共15页张钰 尚紫璇 王光成 王晓蕾 
国家自然科学基金面上项目(12074018)资助。
分子化学和自旋电子学两个领域的交叉融合,使得利用分子多样性的优势来干预或调控自旋电子器件成为可能。具有分子界面的新型有机/无机功能器件的开发,成为信息存储领域的研究热点。通常自旋极化来源于由磁场控制的磁性材料。然而,最近...
关键词:手性分子 自旋选择性 自旋极化 分子界面 自旋注入 自旋电子学器件 
氮化铁基高效自旋注入源的精控合成及界面调控机制研究
《中国科技成果》2023年第9期14-15,共2页 卢启海 韩根亮 闫鹏勋 宋玉哲 郑磗 吴志国 王向谦 强进 
国家自然科学基金地区基金“氮化铁基高效自旋注入源的精控合成及界面调控机制研究”(51761001)项目的支持。
研制高自旋极化率的磁性材料用于自旋电子器件已经成为自旋电子学应用领域的研究热点.理论上,半金属的自旋极化率为100%,是理想的自旋注入源,但现有的半金属材料大多是亚稳相,存在结构不稳定、有晶格畸变以及表面重构等问题导致自旋极...
关键词:亚稳相 自旋电子学 晶格畸变 表面重构 氮化铁 界面调控 半金属 磁性材料 
铁电-自旋电子器件的研究与进展被引量:1
《中国材料进展》2021年第10期729-736,761,共9页方梅 郭旺 李郁泉 夏华艳 宋克睿 王宇泰 古子洋 李柯铭 
国家自然科学基金资助项目(11504055);湖南省自然科学基金资助项目(2018JJ2480)。
自旋电子器件是操控和利用电子自旋属性的器件,相比微电子器件具有能耗更低、密度更高、响应更快和非易失性等特点,是新一代信息器件发展和取得突破的一个重要方向。基于自旋电子器件的基本原理,如自旋极化、自旋注入、自旋传输、自旋...
关键词:自旋电子器件 铁电调控 磁阻 自旋-轨道耦合 自旋注入 自旋探测 
Fe_(3)GeTe_(2)/h-BN/石墨烯二维异质结器件中的高效率自旋注入被引量:1
《物理学报》2021年第12期426-431,共6页杨维 韩江朝 曹元 林晓阳 赵巍胜 
国家自然科学基金(批准号:51602013,12004021);中国科学技术协会青年人才托举工程(批准号:2018QNRC001);高等学校学科创新引智计划(批准号:B16001);中央高校基本科研业务费;北京大数据科学与脑机智能高精尖创新中心资助的课题。
最近,二维铁磁材料的发现加速了自旋电子学在超低功耗电子器件方面的应用.其中,Fe_(3)GeTe_(2)通过实验调控,比如界面层间耦合和离子液体调控,可以使其居里温度达到室温,具有广泛的应用前景.本文基于密度泛函理论与非平衡格林函数方法,...
关键词:二维铁磁 自旋隧穿注入 自旋过滤效应 第一性原理计算 
自旋发光二极管研究进展被引量:2
《物理学报》2020年第20期45-55,共11页梁世恒 陆沅 韩秀峰 
国家重研发计划(纳米计划)(批准号:2017YFA0206200);国家自然科学基金重点项目(批准号:51831012);国家自然科学基金中法重点国际合作项目(批准号:51620105004);中科院战略先导项目(B类)(批准号:XDB33000000);中科院前沿科学重点研究计划(批准号:QYZDJ-SSW-SLH016);北京市自然科学基金(批准号:Z201100004220006);法国科研署(ANR)与国家自然科学基金SISTER合作项目(批准号:ANR-11-IS10-0001,NNSFC 61161130527)资助的课题.
半导体自旋电子学是凝聚态物理研究中重要的研究领域之一,在20多年的发展历程中交叉了多学科领域,其中结合了磁性材料和半导体材料复合结构而开展的关于自旋注入、操纵及光学探测研究的自旋发光二极管展现出丰富的物理性质.自旋发光二...
关键词:半导体自旋电子学 自旋发光二极管 自旋极化 自旋注入 
基于分子自旋阀的自旋电子学被引量:2
《科学通报》2018年第35期3689-3696,共8页谷现荣 郭立丹 秦阳 孙向南 
国家自然科学基金(21673059);国家重点研发计划“纳米科技”重点专项(2017YFA0206600,2016YFA0200700);中国科学院科研仪器设备研制项目(YJKYYQ20170037);中国科学院率先行动“百人计划”资助.
分子半导体材料因具有很长的自旋弛豫时间,被认为在自旋电子学领域存在巨大的应用潜力.在基于分子半导体材料开展的自旋电子学研究被首次报道后的十余年里,以分子自旋阀为载体的自旋电子学研究取得了巨大发展并引起了广泛关注.本文将围...
关键词:分子自旋阀 分子半导体材料 自旋注入 自旋界面效应 自旋输运 
基于Heusler合金的自旋零能隙半导体被引量:1
《中国材料进展》2017年第9期616-624,共9页徐桂舟 徐锋 王文洪 
国家自然科学基金资助项目(11604148)
自旋零能隙半导体是一类具有接近100%的高自旋极化率,同时与工业半导体具有良好兼容特性的新型自旋电子学材料,在自旋注入、自旋晶体管中具有潜在应用前景。从理论计算的电子结构,结合实验的磁性、输运性质能方面对包括Hg_2CuTi型,LiMgP...
关键词:HEUSLER合金 自旋零能隙半导体 磁电阻 半金属 自旋注入 
二维过渡金属二硫化物中自旋能谷耦合的谷电子学
《物理》2017年第5期299-306,共8页刘雪峰 马骏超 孙栋 
电子的电荷自由度与自旋自由度是现代电子器件的基础核心之一。随着二维材料,尤其是二维过渡族硫化物(TMDCs)的研究深入,另一个自由度——能谷——也引起了人们极大的研究兴趣。由于TMDCs中自旋与能谷的强耦合,自旋(能谷)可以通过能谷(...
关键词:能谷自由度 二维材料 过渡族硫化物 自旋轨道耦合 圆偏振 自旋注入 
基于自旋电子学的太赫兹波产生方法被引量:3
《太赫兹科学与电子信息学报》2016年第4期502-507,共6页冯正 谭为 成彬彬 邓贤进 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11504345);中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心专项资助项目(MT2015-11-04);中国工程物理研究院成都基地团队培育专项资助项目(PY2014-5-1)
自旋电子学的某些物理现象,如交换型磁振子、反铁磁共振、超快自旋动力学等,其特征频率刚好处于太赫兹频段。利用相应的自旋电子学现象和原理,研究人员发现和建立了若干新型的太赫兹波产生方法,为新型太赫兹源的实现和发展提供指导方向...
关键词:太赫兹波 自旋电子学 自旋注入 磁振子 反铁磁共振 超快自旋动力学 
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