GAN基半导体

作品数：22被引量：53H指数：5
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GaN基半导体激光器稳态热分析
《应用物理》2024年第5期287-293,共7页李奕霏 晏长岭 杨静航 
GaN基蓝光半导体激光器逐渐进入人们的视野,被广泛应用于数据存储、激光显示、光学通信、激光武器等民用和军用领域。本文基于合理可靠的GaN基半导体激光器散热模型,利用ANSYS有限元分析软件进行稳态工作条件下的热特性模拟仿真。分别...
关键词：蓝光半导体激光器 散热分析 过渡热沉 
GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫及调控
《中国科学：物理学、力学、天文学》2023年第10期146-157,共12页张仕雄 唐宁 孙真昊 陈帅宇 沈波 
国家重点研发计划(编号:2022YFB3605600,2018YFE0125700);国家自然科学基金(编号:62225402,61927806)资助项目。
GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测...
关键词：GAN基半导体 自旋轨道耦合 自旋弛豫 
GaN基半导体在改变钙钛矿太阳能电池性能方面的理论分析
《物理学报》2023年第10期323-333,共11页朱晓丽 仇鹏 卫会云 何荧峰 刘恒 田丰 邱洪宇 杜梦超 彭铭曾 郑新和 
国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700);国家自然科学基金(批准号:52002021);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:FRF-IDRY-20-037)资助的课题。
GaN基半导体在光电子、电子器件已具有重要应用,如何结合其良好的电学特性进行其他应用方面的理论或实验探索,是当前新的研究课题.本文利用SCAPS-1D软件从理论上计算了GaN在FTO/GaN/(FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15/HTL电池结构中电子传输的...
关键词：GAN 钙钛矿电池 开路电压 
GaN基半导体激光材料检测与转换技术的研究
《江西电力职业技术学院学报》2021年第4期19-21,共3页国思茗 
2020年福建省中青年教师教育科研项目(课题编号:JAT201187)。
主要对氮化镓激光材料检测技术和光电能转换技术进行研究,通过对氮化镓激光材料的电流光转换效率特性和电光热交叉耦合特性的研究,寻找适用于工业化检测氮化镓激光材料的自动化快速检测技术,同时,在检测过程中尽可能降低电能消耗。最终...
关键词：氮化镓 微结构光纤 光电转换技术 
450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化被引量：7
《光学学报》2019年第6期204-207,共4页杜维川 康俊杰 李弋 谭昊 周坤 胡耀 张亮 王昭 郭林辉 高松信 武德勇 唐淳 
四川省科技厅面上项目(2018JY0621)
分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当...
关键词：激光器 半导体激光器 GAN 腔面反射率 空间烧孔 
GaN基半导体技术的空间应用研究与展望被引量：10
《空间电子技术》2018年第2期60-67,共8页唐林江 陈滔 张宝林 万成安 
空间太阳能电站需要高效率、良好环境适应性和长寿命的新型光电转换材料和大功率半导体器件。从功率器件和太阳能电池两个方面,概述了宽禁带半导体在太阳能技术中的应用和研发动态。采用宽禁带半导体设计的GaN高效固态功放和禁带宽度从0...
关键词：空间太阳能电站 宽禁带半导体 GAN HEMT INGAN 
GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用被引量：8
《物理学进展》2017年第3期81-97,共17页沈波 唐宁 杨学林 王茂俊 许福军 王新强 秦志新 
国家科技重点专项(2016YFB0400100;2016YFB0400200);国家重点基础研究发展计划项目(2013CB921901;2013CB632804);国家自然科学基金(11634002;61521004;61361166007;61376095;61522401;61574006;61204099);北京市科技计划项目(Z151100003315002)对本文涉及工作的大力支持
GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件...
关键词：GaN基宽禁带半导体 外延生长 二维电子气 输运性质 自旋性质 GaN基电子器件 
苏州纳米所在硅衬底InGaN基半导体激光器方面取得重要进展
《半导体信息》2016年第4期15-16,共2页
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更...
关键词：半导体激光器 硅衬底 INGAN 纳米 苏州 电子芯片 复杂系统 通信速度 
苏州纳米所在硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展
《现代科学仪器》2016年第4期46-46,共1页
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。虽然硅作为间接带隙材料，发光效率极低，难以直接作为发光材料，但研究人员提出利用具有高发光效率的Ⅲ...
关键词：硅衬底 半导体激光器 INGAN 纳米 苏州 发光效率 发光材料 半导体行业 
GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究被引量：2
《厦门大学学报（自然科学版）》2015年第5期665-673,共9页蔡晓梅 张江勇 吕雪芹 应磊莹 张保平 
国家自然科学基金(61404059;61274052);集美大学科研启动基金(ZQ2013011)
制备了3种低In组分(即原子分数)的InGaN p-i-n同质结太阳能电池,均显示良好的光伏响应特性,并对电池开路电压随In组分增大而急剧下降的内在机理作了深入分析.而后,改进外延结构采用相同工艺制作InGaN p-i-n异质结太阳能电池,并与同质结...
关键词：INGAN 太阳能电池 结构 
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