表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响  

Improvements of Interfaces Properties of HfO_2 Gate Dielectric MOS Capacitors by Surface Pre-treatments

作　　者：徐静平[1] 李艳萍[1] 许胜国[1] 陈卫兵[1] 季峰[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074

出　　处：《固体电子学研究与进展》2007年第3期305-308,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目

摘　　要：在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。The effects of various pre-deposition surface treatments such as NO-annealed, N2O-annealed and O2＋trichloroethylene （TCE） on the interfaces properties are investigated. The TCE technique is superior to the others because the dielectric subject to TCE surface treatments possesses a tremendously reduced interface-state density and effective oxide thickness.

关 键 词：二氧化铪 金属-绝缘层-半导体 界面态密度 边界陷阱电荷 三氯乙烯 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]